Rozdíl mezi EPROM a EEPROM: Fungování, funkce a použití

Oct 08 2025
Zdroj: DiGi-Electronics
Procházet: 2362

Paměťové technologie jako EPROM a EEPROM jsou ve vývoji digitálních systémů žádané. Oba typy energeticky nezávislé paměti jsou navrženy tak, aby uchovávaly informace i po odpojení napájení, ale výrazně se liší ve způsobu ukládání, mazání a aktualizace dat. Pochopení těchto rozdílů je potřebné pro každého, kdo pracuje s vestavěnými systémy. Tento článek vysvětluje, jak EPROM a EEPROM fungují, porovnává jejich vlastnosti a zkoumá jejich výhody, omezení a aplikace.

Bod 3. EPROM vs. EEPROM: Srovnání charakteristik

Bod 4. Vnitřní struktura a princip fungování EPROM & EEPROM

Bod 5. Výhody a nevýhody EEPROM a EPROM

Kapitola 10. Často kladené dotazy [FAQ]

Figure 1. EEPROM vs. EPROM

Co je EEPROM?

Figure 2. EEPROM

EEPROM je zkratka pro Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory. Jedná se o typ energeticky nezávislé paměti, což znamená, že uchovává uložené informace, i když je zařízení vypnuté.

Hlavní výhodou EEPROM je její schopnost elektrického přeprogramování. Data lze mazat a přepisovat přímo na desce plošných spojů pomocí řízených napěťových signálů, čímž se eliminuje potřeba fyzicky vyjmout čip. Na rozdíl od dřívějších typů ROM, které vyžadovaly úplné vymazání, EEPROM podporuje mazání na úrovni bajtů, takže konkrétní bajty mohou být aktualizovány bez narušení zbytku paměti.

Díky tomu je EEPROM velmi vhodná pro ukládání malých, ale důležitých dat, jako jsou konfigurační nastavení, kalibrační hodnoty nebo parametry firmwaru, které může být nutné během životního cyklu systému několikrát upravit.

Co je EPROM?

Figure 3. EPROM

EPROM je zkratka pro Erasable Programmable Read-Only Memory. Stejně jako EEPROM je to energeticky nezávislá paměť, což znamená, že uložená data zůstávají nedotčená, i když je vypnuto napájení. Používá však jiný způsob mazání ve srovnání s elektricky stíratelnými typy.

Čip EPROM je zabalen s okénkem z křemenného skla, které odhaluje křemík uvnitř. Při vystavení ultrafialovému (UV) záření se uložený náboj v paměťových buňkách vybije, čímž se data účinně vymažou. Tento proces obvykle trvá 15–20 minut vystavení UV záření. Pro aktualizaci nebo přepsání dat je nutné čip nejprve vyjmout z obvodu, vymazat pod UV světlem a poté umístit do speciálního naprogramovaného zařízení, které využívá poměrně vysoké programovací napětí (12–24 V). Po vymazání se všechny paměťové buňky vrátí do původního stavu a mohou být zapsána nová data.

EPROM vs. EEPROM: Srovnání charakteristik

AspektEPROMEEPROM
Metoda výmazuUV záření přes křemenné okénkoElektrické napěťové impulsy
PřeprogramováníVyžaduje odstranění + externí programátorObvod, není třeba demontovat
GranularitaCelý čip vymazaný najednouMožnost vymazání na úrovni bajtů
Uchovávání dat10–20 roků10+ let
Snadnost použitíPomalý, je vyžadován externí hardwareRychlejší, jednodušší, žádné další zařízení

Vnitřní struktura a princip fungování EPROM & EEPROM

Figure 4. EEPROM and EPROM Internal Structure

EPROM i EEPROM jsou postaveny na tranzistorech MOSFET s plovoucím hradlem, které používají izolované hradlo k zachycení nebo uvolnění elektronů. Přítomnost nebo nepřítomnost uloženého náboje určuje, zda paměťová buňka představuje logickou "0" nebo "1".

Figure 5. EPROM Working Principle

• EPROM: Programování je dosaženo aplikací vysokého napětí, které tlačí elektrony do plovoucího hradla prostřednictvím vstřikování horkého nosiče. Jakmile jsou tyto elektrony zachyceny, zůstávají roky, takže data nejsou volatilní. Aby se paměť vymazala, je čip vystaven ultrafialovému (UV) světlu, které poskytuje energii potřebnou k uvolnění zachycených elektronů skrz křemenné okénko. Tím se resetují všechny buňky současně.

Figure 6. EEPROM Working Principle

EEPROM: Namísto UV záření se EEPROM spoléhá na Fowlerův–Nordheimův tunel, což je kvantový tunelovací efekt, který umožňuje elektronům pohybovat se dovnitř nebo ven z plovoucí brány pod řízenými elektrickými poli. Tento mechanismus podporuje elektrické mazání přímo na desce plošných spojů, což umožňuje selektivní aktualizace na úrovni bajtů a rychlejší přeprogramování bez fyzického vyjmutí čipu.

Výhody a nevýhody EEPROM a EPROM

AspektEEPROMEPROM
Klady• Podporuje programování v obvodu (není nutné žádné odstranění) • Vymazání na úrovni bajtů pro selektivní aktualizace • K dispozici v sériové (I²C, SPI) a paralelní verzi • Vysoká odolnost (\~1 milion cyklů zápisu/mazání) • Spolehlivé uchovávání dat (10–20 let)•Energeticky nezávislé s dlouhou retencí dat (10–20 let) • Opakovaně použitelné, na rozdíl od jednorázového PROM • Nákladově efektivní během své nejlepší éry • Vhodné pro rané prototypování a vývoj
Nevýhody•Dražší než EPROM • Omezená výdrž ve srovnání s moderním Flashem• Operace zápisu pomalejší než čtení • Typicky menší kapacita než Flash•Pouze výmaz po celém čipu (bez selektivních úprav) • Vyžaduje UV světlo a křemenné okénko pro výmaz • Pomalá doba mazání (15–20 minut) • Vyžaduje externí vysokonapěťový programátor • Citlivý na náhodné vystavení UV záření

Aplikace EPROM a EEPROM v elektronice

EPROM

• Ukládání firmwaru v raných mikrokontrolérech: Poskytoval spolehlivý způsob ukládání vestavěného kódu předtím, než se EEPROM a Flash staly standardem.

• Programová paměť v osobních počítačích a kalkulačkách: Běžně se používá k uložení systémového softwaru a logických programů.

• Digitální přístroje: Nacházejí se v osciloskopech, testovacích zařízeních a měřicích zařízeních, které vyžadují stabilní uložení programu.

• Prototypové a školicí sady: Oblíbené ve vzdělávacích a vývojových prostředích, protože data lze několikrát vymazat a přepsat pro účely testování.

EEPROM

• Úložiště BIOS/UEFI v počítačích: Obsahuje důležité pokyny ke spuštění systému a lze jej aktualizovat bez výměny hardwaru.

• Kalibrační data senzoru: Používají se v automobilových a průmyslových systémech k ukládání jemně vyladěných kalibračních hodnot, které vyžadují občasnou aktualizaci.

• Telekomunikační zařízení: Umožňuje rekonfiguraci modemů, směrovačů a základnových stanic bez výměny čipů.

• Čipové karty a RFID tagy: Poskytuje bezpečnou, energeticky nezávislou paměť pro ověřování, správu identit a transakční data.

Zdravotnické prostředky: Ukládá parametry specifické pro pacienta a konfigurační data v nástrojích, jako jsou monitory glukózy nebo kardiostimulátory.

PROM vs. EPROM vs. EEPROM

VlastnostiPROMEPROMEEPROM
ProgramováníPouze jednorázově: Data se trvale zapisují během počátečního programování.Přepisovatelné UV světlem: Vyžaduje odstranění a přeprogramování pomocí vysokého napětí.Elektricky přepisovatelný: Podporuje přeprogramování přímo na desce plošných spojů.
VýmazNení to možné: Po zápisu nelze data změnit ani odstranit.Vymazání celého čipu: Celá paměť musí být vymazána pomocí UV záření přes křemenné okénko.Selektivní mazání: Může mazat na úrovni bajtů nebo celého čipu podle potřeby.
Opakovaná použitelnostNe: Po naprogramování nelze znovu použít.Ano: Několikrát vymazáno a přepsáno (ale omezeno).Ano: Vysoká flexibilita s častými aktualizacemi.
Vytrvalost1 cyklus (zapsat jednou).Přibližně 100–1 000 cyklů před opotřebením zařízení.Přibližně 1 000 000 cyklů, což je mnohem více než EPROM.
Použití v obvoduNe: Před instalací musí být naprogramováno.Ne: Musí být odstraněn pro vymazání a přeprogramování UV zářením.Ano: Podporuje aktualizace v obvodu, takže je ideální pro moderní systémy.
NákladyNízká: Velmi levné za bit.Střední: Dražší než PROM, ale ve své době cenově dostupné.Vyšší na bit: Dražší než PROM/EPROM, ale nabízí vynikající flexibilitu.

EPROM vs. EEPROM vs. flash paměť

VlastnostiEPROMEEPROMFlash paměť
Metoda výmazuUV záření přes křemenné okénkoElektrické, na úrovni bajtůElektrické, na úrovni bloků/stránek
ProgramováníVyžaduje odstranění + vysokonapěťový programátorObvod, elektrické přeprogramováníObvodové, elektrické přeprogramování
Opakovaná použitelnostAno, ale pomalu a nepohodlněAno, časté aktualizace jsou možnéAno, optimalizováno pro rozsáhlé přepisování
Vytrvalost\~100–1 000 cyklů\~1 000 000 cyklů\~10 000–100 000 cyklů (v závislosti na typu)
RychlostVelmi pomalé (vymazání UV zářením: 15–20 min)Střední (pomalejší zápis než čtení)Rychlost (blokové operace, vyšší propustnost)
KapacitaMalé (rozsah KB–MB)Malé až střední (rozsah kB–MB)Velmi vysoká (rozsah MB–TB)
Cena za BitStřední (historická)VyššíNízká (standard velkokapacitního úložiště)
Typické použitíLegacy systémy, prototypování, vzděláváníBIOS, kalibrační data, zabezpečená zařízeníUSB disky, SSD, SD karty, smartphony, mikrokontroléry

Závěr

EPROM a EEPROM byly milníky v paměťové technologii, přičemž každá z nich sloužila jako most k pokročilejším řešením úložišť, jako je Flash. EPROM nabízel ve své době praktický způsob, jak přeprogramovat zařízení, zatímco EEPROM zavedl větší flexibilitu s interními a selektivními aktualizacemi. EEPROM dnes zůstává relevantní pro ukládání malých, ale kritických dat, zatímco Flash dominuje potřebám rozsáhlých úložišť. Porovnáním těchto typů pamětí získáte jasnou představu o tom, jak se technologie vyvíjely a proč si EEPROM stále nachází své místo v moderní elektronice.

Často kladené dotazy [FAQ]

Proč je EEPROM lepší než EPROM?

EEPROM je lepší, protože umožňuje elektrické přeprogramování v obvodu, podporuje mazání na úrovni bajtů a eliminuje potřebu UV záření nebo odstraňování čipů. Díky tomu je flexibilnější a pohodlnější než EPROM.

Je Flash paměť stejná jako EEPROM?

Ne. Flash paměť je založena na technologii EEPROM, ale je optimalizována pro vysokou hustotu a mazání na úrovni bloků/stránek. EEPROM umožňuje mazání na úrovni bajtů, zatímco Flash je rychlejší a levnější na bit, takže je ideální pro velkokapacitní úložiště.

Jak dlouho mohou EEPROM a EPROM uchovávat údaje?

Oba typy mohou obvykle uchovávat data po dobu 10–20 let, ačkoli odolnost EPROM je omezena na ~100–1 000 cyklů, zatímco EEPROM může vydržet až ~1 000 000 cyklů.

Proč EPROM potřebuje křemenné okno?

Křemenné okénko umožňuje UV záření proniknout do čipu a vymazat uložené náboje z plovoucí brány. Bez tohoto průhledného okénka by výmaz nebyl možný.

Kde se EEPROM používá dodnes?

EEPROM je široce používána ve firmwaru BIOS/UEFI, kalibraci senzorů, RFID tagech, čipových kartách, lékařských zařízeních a průmyslových zařízeních, kde jsou nutné selektivní aktualizace.