Prevence padělků a závad
Vizuální a balící kontrola
Ověření elektrického výkonu
Služební e-mail:
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Žádost o cenovou nabídku
(Zítra odesláno)
*Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
5.0 / 5.0
- (94 Hodnocení)
IPP041N12N3GXKSA1
Přehled produktu
12803539
Číslo dílu
IPP041N12N3GXKSA1-DGVýrobce
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventář
200457 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
Nákup a dotaz
Záruka a vrácení
Jak objednat
Doprava a dodání
Zajištění kvality
365 - Záruka kvality na každý den - Každá součást plně krytá.
90denní vrácení peněz nebo výměna - Vadné díly? Bez problémů.
Omezená zásoba, objednejte nyní - Získejte spolehlivé díly bez obav.
Celosvětová doprava a bezpečné balení
Doručení po celé světě do 3-5 pracovních dní
100% ESD antistatické balení
Sledování v reálném čase pro každou objednávku
Bezpečná a flexibilní platba
Kreditní karta, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, bankovní převod (T/T) a další
Všechny platby jsou zašifrovány pro bezpečnost
IPP041N12N3GXKSA1 Technické specifikace
Kategorie
Transistory, FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Balení
Tube
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
120 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IPP041
Technický list a dokumenty
Technické listy
Stáhnout IPP041N12N3GXKSA1 Specifikace produktu (PDF)
Katalogové listy
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML Datový list
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Často kladené otázky (FAQ)
Jaké jsou hlavní vlastnosti N-kanálového MOSFETu Infineon OptiMOS™ (IPP041N12N3GXKSA1)?
Tento MOSFET podporuje napětí drain-to-source 120 V a kontinuální drain proud 120 A při 25 °C, s nízkým odporem Rds On 4,1 mΩ, což ho činí vhodným pro vysokovýkonné spínací aplikace. Je navržen s pouzdrem TO-220-3 pro snadnou montáž a spolehlivý výkon.
Pro jaké aplikace je tento MOSFET s napětím 120 V a proudem 120 A vhodný?
Tento MOSFET je ideální pro spínací zdroje, pohony motorů a vysoce proudové spínací obvody, kde je klíčová efektivní správa energie a dobrý tepelný výkon. Jeho robustní konstrukce zajišťuje odolnost v náročných elektronických systémech.
Je tento N-kanálový MOSFET kompatibilní s existujícími elektronickými návrhy?
Ano, IPP041N12N3GXKSA1 je kompatibilní se standardními napětím brány a má práh brány 4 V, což ho činí vhodným pro různé návrhy spínacích zdrojů a vestavěné systémy.
Jaké jsou výhody volby MOSFETů série Infineon OptiMOS™?
MOSFETy OptiMOS™ jsou známé svým nízkým odporem Rds On, vysokou účinností a vynikajícím tepelným výkonem, což pomáhá snižovat ztráty energie a zlepšovat celkovou spolehlivost systému.
Jaké záruky a podpora jsou dostupné pro tento produkt MOSFET?
Jako aktivní a RoHS3-kompatibilní produkt je MOSFET podporován výrobcem a má zajištěnou kvalitu. Je dodáván přímo ze skladových zásob, což zajišťuje rychlou dostupnost pro vaše projekty.
Zajištění kvality (QC)
DiGi zajišťuje kvalitu a autenticitu každé elektronické součástky prostřednictvím profesionálních inspekcí a vzorkování šarží, čímž garantuje důvěryhodné zdroje, stabilní výkon a splnění technických specifikací. Pomáhá zákazníkům snižovat rizika v dodavatelském řetězci a důvěryhodně používat komponenty ve výrobě.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
