FCH043N60 >
FCH043N60
onsemi
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
1411 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Žádost o cenovou nabídku (Zítra odesláno)
*Množství
Minimálně 1
FCH043N60 onsemi
5.0 / 5.0 - (328 Hodnocení)

FCH043N60

Přehled produktu

12839481

Číslo dílu

FCH043N60-DG

Výrobce

onsemi
FCH043N60

Popis

MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3

Inventář

1411 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Množství
Minimálně 1

Nákup a dotaz

Zajištění kvality

365 - Záruka kvality na každý den - Každá součást plně krytá.

90denní vrácení peněz nebo výměna - Vadné díly? Bez problémů.

Omezená zásoba, objednejte nyní - Získejte spolehlivé díly bez obav.

Celosvětová doprava a bezpečné balení

Doručení po celé světě do 3-5 pracovních dní

100% ESD antistatické balení

Sledování v reálném čase pro každou objednávku

Bezpečná a flexibilní platba

Kreditní karta, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, bankovní převod (T/T) a další

Všechny platby jsou zašifrovány pro bezpečnost

Skladem (Všechny ceny jsou v USD)
  • MNOŽSTVÍ Cílová cena Celková cena
  • 1 5.9660 5.9660
Lepší cena pomocí online poptávky.
Žádost o cenovou nabídku (Zítra odesláno)
* Množství
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

FCH043N60 Technické specifikace

Kategorie Transistory, FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce onsemi

Balení -

Řada SuperFET® II

Stav produktu Obsolete

Typ FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss) 600 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C 75A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý) 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs 43mOhm @ 38A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 3.5V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V

VGS (Max) ±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V

Funkce FET -

Ztrátový výkon (max.) 592W (Tc)

Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže Through Hole

Balíček zařízení dodavatele TO-247-3

Balení / pouzdro TO-247-3

Základní číslo výrobku FCH043

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

FCH043N60

HTML Datový list

FCH043N60-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) Not Applicable
Stav nařízení REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Další informace

Standardní balíček
30
Další jména
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS

Alternativní díly

ČÍSLO DÍLU
VÝROBCE
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
DiGi ČÍSLO DÍLU
CENY ZA JEDNOTKU
Druh náhrady
SIHG64N65E-GE3
Vishay Siliconix
1322
SIHG64N65E-GE3-DG
7.5434
Similar
IXTQ18N60P
IXYS
5730
IXTQ18N60P-DG
0.3939
Similar
IXKR47N60C5
IXYS
2014
IXKR47N60C5-DG
0.1103
Similar
IXKK85N60C
IXYS
1146
IXKK85N60C-DG
4.5289
Similar
IXFH80N65X2
IXYS
18923
IXFH80N65X2-DG
0.0515
Similar

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Lach***icht
Dec 02, 2025
5.0
Jede Erfahrung bei DiGi Electronics bestätigt die hohe Produktverlässlichkeit und Preis-Transparenz.
Inn***ight
Dec 02, 2025
5.0
The packaging quality exceeded my expectations, sturdy and visually appealing at the same time.
Vivi***eams
Dec 02, 2025
5.0
I appreciate the company's efforts in using packaging that minimizes environmental impact, paired with quick logistics.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Často kladené otázky (FAQ)

Jaké jsou klíčové vlastnosti a technické parametry MOSFETu FCH043N60 od onsemi?

FCH043N60 je N-Channel MOSFET s napěťovým hodnocením 600V a stálým odvodovým proudem 75A při 25°C. Má nízkou hodnotu Rds On 43 mΩ při 38A a Vgs 10V, což ho činí vhodným pro vysokonapěťové výkonové aplikace. Součást je upevněna skrze díru v pouzdru TO-247-3 a podporuje provozní teploty od -55°C do 150°C.

Je MOSFET FCH043N60 od onsemi vhodný pro vysokonapěťové spínací aplikace?

Ano, FCH043N60 je navržen pro vysokonapěťové spínání, s odvodovým napětím 600V a schopností výkonové dissipace až do 592W při teplotě pouzdra. Je ideální pro adaptéry, měniče a další výkonové elektronické obvody.

Je MOSFET FCH043N60 kompatibilní se standardními řídicími napětími brány?

Ano, tento MOSFET pracuje s maximálním napětím brány vůči zdroji ±20V a s doporučeným řídicím napětím 10V, což zajišťuje spolehlivý přepínací výkon v různých výkonových systémech.

Jaké jsou výhody použití MOSFETů ze série SuperFET® II, například FCH043N60?

MOSFETy série SuperFET® II nabízejí nízké Rds On, vysokou napěťovou odolnost a vysokou schopnost výkonové dissipace, čímž zlepšují účinnost a tepelný výkon při výkonovém spínání a pomáhají snižovat ztráty v systému.

Kde lze najít podporu nebo zakoupit MOSFET FCH043N60 a co je třeba vědět o jeho dostupnosti?

FCH043N60 je skladem k dispozici v počtu 1 638 kusů a je vhodný pro různé aplikace vyžadující vysokonapěťové MOSFETy. Přestože je uveden jako zastaralý, lze jej zakoupit od autorizovaných distributorů a lze hledat alternativní náhrady například SIHG64N65E-GE3 nebo IXTQ18N60P.

Zajištění kvality (QC)

DiGi zajišťuje kvalitu a autenticitu každé elektronické součástky prostřednictvím profesionálních inspekcí a vzorkování šarží, čímž garantuje důvěryhodné zdroje, stabilní výkon a splnění technických specifikací. Pomáhá zákazníkům snižovat rizika v dodavatelském řetězci a důvěryhodně používat komponenty ve výrobě.

Zajištění kvality
Prevence padělků a závad

Prevence padělků a závad

Komplexní screening k identifikaci padělků, repasovaných nebo vadných komponentů, zajišťující doručení pouze pravých a shodných dílů.

Vizuální a balící kontrola

Vizuální a balící kontrola

Ověření elektrického výkonu

Ověření vzhledu součástky, označení, datových kódů, integrity balení a konzistence štítků za účelem zajištění sledovatelnosti a shody.

Hodnocení života a spolehlivosti

DiGi Certifikace
Blogy a příspěvky
FCH043N60 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Ještě nemáte účet? Zaregistrovat se