Prevence padělků a závad
Vizuální a balící kontrola
Ověření elektrického výkonu
Služební e-mail:
[email protected]
>
TK160F10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
1000416 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Žádost o cenovou nabídku
(Zítra odesláno)
*Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
5.0 / 5.0
- (245 Hodnocení)
TK160F10N1L,LQ
Přehled produktu
12891217
Číslo dílu
TK160F10N1L,LQ-DG
TK160F10N1L,LQ
Popis
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMInventář
1000416 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
Nákup a dotaz
Záruka a vrácení
Jak objednat
Doprava a dodání
Zajištění kvality
365 - Záruka kvality na každý den - Každá součást plně krytá.
90denní vrácení peněz nebo výměna - Vadné díly? Bez problémů.
Omezená zásoba, objednejte nyní - Získejte spolehlivé díly bez obav.
Celosvětová doprava a bezpečné balení
Doručení po celé světě do 3-5 pracovních dní
100% ESD antistatické balení
Sledování v reálném čase pro každou objednávku
Bezpečná a flexibilní platba
Kreditní karta, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, bankovní převod (T/T) a další
Všechny platby jsou zašifrovány pro bezpečnost
TK160F10N1L,LQ Technické specifikace
Kategorie
Transistory, FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
160A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
6V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10100 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
375W (Tc)
Provozní teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-220SM(W)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
TK160F10
Technický list a dokumenty
Technické listy
Stáhnout TK160F10N1L,LQ Specifikace produktu (PDF)
Katalogové listy
TK160F10N1L
HTML Datový list
TK160F10N1L,LQ-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
Alternativní díly
ČÍSLO DÍLU
VÝROBCE
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
DiGi ČÍSLO DÍLU
CENY ZA JEDNOTKU
Druh náhrady
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
2188
TK160F10N1L,LXGQ-DG
0.8556
Parametric Equivalent
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
迅速な配送と丁寧な梱包に感心しました。安心して取引できます。
Dec 02, 2025
Their after-sales team is knowledgeable, friendly, and always ready to assist with any questions.
Dec 02, 2025
The staff at DiGi Electronics are incredibly welcoming and eager to assist.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics consistently delivers reliable products that I can trust for my business needs.
Dec 02, 2025
The packing was minimal yet effective, emphasizing sustainability.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Často kladené otázky (FAQ)
Jaké jsou klíčové vlastnosti MOSFETu Toshiba TK160F10N1L?
Tento MOSFET Toshiba TK160F10N1L je vysoce výkonný N-kanálový MOSFET s napětím 100 V a kontinuálním odvodovým proudem 160 A, navržený pro efektivní spínání a správu energie v různých elektronických aplikacích.
Je MOSFET Toshiba TK160F10N1L vhodný pro prostředí s vysokými teplotami?
Ano, tento MOSFET může pracovat při teplotách až do 175 °C, což jej činí vhodným pro náročné napájecí aplikace vyžadující vysokou tepelnou odolnost.
Lze MOSFET Toshiba TK160F10N1L použít s různými napětími mřížky?
Ano, podporuje řídicí napětí 6 V a 10 V, s maximálním Vgs ±20 V, což zajišťuje flexibilitu pro různé návrhy obvodů a řídicí schémata.</br>Navíc má nízkou hodnotu Rds(on) 2,4 mΩ při 80 A a 10 V, což pomáhá minimalizovat ztráty energie během provozu.
Jaké jsou možnosti balení a typ uchycení tohoto MOSFETu?
Toshiba TK160F10N1L je dostupný v balení Tape & Reel (TR) v pouzdru TO-220SM (D2PAK), vhodném pro povrchovou montáž a vysokovýkonnou automatizovanou výrobu.</br>Je certifikovaný podle normy RoHS3, což jej činí ekologicky šetrným a vhodným pro moderní výrobu elektroniky.
Kde mohu zakoupit MOSFET Toshiba TK160F10N1L a jaká je podpora po prodeji?
Tento MOSFET je k dispozici skladem u autorizovaných distributorů, s více než milionem kusů připravených k odeslání. Pro podporu po prodeji se můžete obrátit na Toshibu nebo na svého dodavatele kvůli záruce a technické podpoře.
Zajištění kvality (QC)
DiGi zajišťuje kvalitu a autenticitu každé elektronické součástky prostřednictvím profesionálních inspekcí a vzorkování šarží, čímž garantuje důvěryhodné zdroje, stabilní výkon a splnění technických specifikací. Pomáhá zákazníkům snižovat rizika v dodavatelském řetězci a důvěryhodně používat komponenty ve výrobě.
TK160F10N1L,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ PCB symbols & footprints
productDetail
