SI7994DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (52 Hodnocení)

SI7994DP-T1-GE3

Přehled produktu

12786261

Číslo dílu

SI7994DP-T1-GE3-DG

Výrobce

Vishay Siliconix
SI7994DP-T1-GE3

Popis

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8

Inventář

2217 Ks Nový Originál Skladem
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
FET, MOSFET pole
SI7994DP-T1-GE3 Technický list
Množství
Minimálně 1

Nákup a dotaz

Žádost o nabídku (RFQ)

Můžete odeslat svou žádost o cenovou nabídku přímo na stránce detailu produktu nebo na stránce žádosti o cenovou nabídku. Náš prodejní tým na vaši žádost odpoví do 24 hodin.

Způsob platby

Nabízíme několik pohodlných platebních metod, včetně PayPalu (doporučeno pro nové zákazníky), kreditních karet a bankovních převodů (T/T) v USD, EUR, HKD a dalších.

DŮLEŽITÉ UPOZORNĚNÍ

Po odeslání RFQ obdržíte e-mail ve své schránce o tom, že jsme obdrželi vaši poptávku. Pokud jej neobdržíte, může být naše e-mailová adresa nesprávně označena jako spam. Zkontrolujte prosím svou složku se spamem a přidejte naši e-mailovou adresu [email protected] na svůj whitelist, abyste zajistili, že obdržíte naši nabídku. Vzhledem k možnosti kolísání skladových zásob a cen musí náš obchodní tým znovu potvrdit vaši poptávku nebo objednávku a včas vám zaslat jakékoli aktualizace e-mailem. Pokud máte jakékoli další otázky nebo potřebujete další pomoc, neváhejte nám dát vědět.

Skladem (Všechny ceny jsou v USD)
  • MNOŽSTVÍ Cílová cena Celková cena
  • 3000 1.58 4730.71
  • 6000 1.51 9077.25
Lepší cena pomocí online poptávky.
Žádost o cenovou nabídku(Zítra odesláno)
Množství
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

SI7994DP-T1-GE3 Technické specifikace

Kategorie FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole

Výrobce Vishay

Balení Tape & Reel (TR)

Řada TrenchFET®

Stav produktu Active

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Konfigurace 2 N-Channel (Dual)

Funkce FET -

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss) 30V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C 60A

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 3V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V

Výkon - Max 46W

Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže Surface Mount

Balení / pouzdro PowerPAK® SO-8 Dual

Balíček zařízení dodavatele PowerPAK® SO-8 Dual

Základní číslo výrobku SI7994

Technický list a dokumenty

Technické listy

Stáhnout SI7994DP-T1-GE3 Specifikace produktu (PDF)
Katalogové listy

SI7994DP
HTML Datový list

SI7994DP-T1-GE3-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
SI7994DP-T1-GE3CT
SI7994DP-T1-GE3TR
SI7994DPT1GE3
SI7994DP-T1-GE3DKR

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
VÝROBCE
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
DiGi ČÍSLO DÍLU
CENY ZA JEDNOTKU
Druh náhrady
SH8KA2GZETB
Rohm Semiconductor
2907
SH8KA2GZETB-DG
0.49
MFR Recommended
SH8KA4TB
Rohm Semiconductor
41573
SH8KA4TB-DG
0.31
MFR Recommended
HP8K24TB
Rohm Semiconductor
9480
HP8K24TB-DG
0.55
MFR Recommended
DIGI Certifikace
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Související produkty
Blogy a příspěvky
Nejnovější pokroky v technologii integrovaných obvodů: Analýza pěti špičkových technologií
Jan 18 2025
Pokroky v indukční technologii: Inovativní aplikace LTCC a vysokofrekvenčních rezonančních měničů
Jan 18 2025
Ochrana obvodů: Klíčové technologie pro zajištění bezpečnosti průmyslových a automobilových elektronických systémů
Jan 18 2025