SIHP18N50C-E3 >
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
4723 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Through Hole TO-220AB
Žádost o cenovou nabídku (Zítra odesláno)
*Množství
Minimálně 1
SIHP18N50C-E3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (46 Hodnocení)

SIHP18N50C-E3

Přehled produktu

12787692

Číslo dílu

SIHP18N50C-E3-DG
SIHP18N50C-E3

Popis

MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB

Inventář

4723 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Through Hole TO-220AB
Množství
Minimálně 1

Nákup a dotaz

Zajištění kvality

365 - Záruka kvality na každý den - Každá součást plně krytá.

90denní vrácení peněz nebo výměna - Vadné díly? Bez problémů.

Omezená zásoba, objednejte nyní - Získejte spolehlivé díly bez obav.

Celosvětová doprava a bezpečné balení

Doručení po celé světě do 3-5 pracovních dní

100% ESD antistatické balení

Sledování v reálném čase pro každou objednávku

Bezpečná a flexibilní platba

Kreditní karta, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, bankovní převod (T/T) a další

Všechny platby jsou zašifrovány pro bezpečnost

Skladem (Všechny ceny jsou v USD)
  • MNOŽSTVÍ Cílová cena Celková cena
  • 1 0.8726 0.8726
Lepší cena pomocí online poptávky.
Žádost o cenovou nabídku (Zítra odesláno)
* Množství
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

SIHP18N50C-E3 Technické specifikace

Kategorie Transistory, FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce Vishay

Balení Tube

Řada -

Stav produktu Active

Typ FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss) 500 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C 18A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý) 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs 270mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 5V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V

VGS (Max) ±30V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds 2942 pF @ 25 V

Funkce FET -

Ztrátový výkon (max.) 223W (Tc)

Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže Through Hole

Balíček zařízení dodavatele TO-220AB

Balení / pouzdro TO-220-3

Základní číslo výrobku SIHP18

Technický list a dokumenty

HTML Datový list

SIHP18N50C-E3-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
SIHP18N50CE3

Alternativní díly

ČÍSLO DÍLU
VÝROBCE
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
DiGi ČÍSLO DÍLU
CENY ZA JEDNOTKU
Druh náhrady
STP17NK40Z
STMicroelectronics
2112
STP17NK40Z-DG
0.0087
Similar
AOT22N50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2273
AOT22N50L-DG
0.0087
MFR Recommended
IXTP460P2
IXYS
3587
IXTP460P2-DG
0.0087
Similar
SIHF18N50C-E3
Vishay Siliconix
1099
SIHF18N50C-E3-DG
0.0087
MFR Recommended
FQP18N50V2
onsemi
35819
FQP18N50V2-DG
0.0087
Direct

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Moonl***ourney
Dec 02, 2025
5.0
Their streamlined logistics operations reduce wait times significantly.
Joy***Soul
Dec 02, 2025
5.0
Shopping here is a pleasure thanks to their budget-friendly prices and kind support team.
Dus***aser
Dec 02, 2025
5.0
I trust their packaging to protect my purchases fully.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Často kladené otázky (FAQ)

Jaké jsou hlavní vlastnosti MOSFETu Vishay SIHP18N50C-E3?

Vishay SIHP18N50C-E3 je N-kanálový MOSFET s napětím 500 V a trvalým odvodem proudu 18 A, určený pro vysokonapěťové spínací aplikace. Disponuje pouzdrem TO-220AB a podporuje vysoký výkon odpaření až do 223 W.

Je MOSFET Vishay SIHP18N50C-E3 vhodný pro vysokonapěťové spínání výkonu?

Ano, tento MOSFET je speciálně navržen pro vysokonapěťové aplikace, s napětím drain-source 500 V, což z něj činí ideální volbu pro spínání výkonu a průmyslové použití, kde je vyžadována vysoká napěťová tolerance.

Jaký je maximální provozní teplotní rozsah tohoto MOSFETu?

Vishay SIHP18N50C-E3 může pracovat v rozmezí teplot od -55 °C do 150 °C, což zajišťuje spolehlivý výkon v různých prostředích.

Je Vishay SIHP18N50C-E3 kompatibilní s běžnými napájecími zdroji typu TO-220?

Ano, MOSFET je dodáván v standardním pouzdře TO-220AB, což jej činí kompatibilním s běžnými metodami průchozího osazení, používanými v napájecích zdrojích a systémech vyžadujících vysoký spínací výkon.

Poskytuje společnost Vishay záruku nebo podporu pro tento produkt MOSFET?

Vishay nabízí spolehlavou podporu a zajišťuje autenticitu produktu, přičemž SIHP18N50C-E3 je dostupný skladem. Pro konkrétní záruční podmínky kontaktujte dodavatele nebo oprávněné distributory.

Zajištění kvality (QC)

DiGi zajišťuje kvalitu a autenticitu každé elektronické součástky prostřednictvím profesionálních inspekcí a vzorkování šarží, čímž garantuje důvěryhodné zdroje, stabilní výkon a splnění technických specifikací. Pomáhá zákazníkům snižovat rizika v dodavatelském řetězci a důvěryhodně používat komponenty ve výrobě.

Zajištění kvality
Prevence padělků a závad

Prevence padělků a závad

Komplexní screening k identifikaci padělků, repasovaných nebo vadných komponentů, zajišťující doručení pouze pravých a shodných dílů.

Vizuální a balící kontrola

Vizuální a balící kontrola

Ověření elektrického výkonu

Ověření vzhledu součástky, označení, datových kódů, integrity balení a konzistence štítků za účelem zajištění sledovatelnosti a shody.

Hodnocení života a spolehlivosti

DiGi Certifikace
Blogy a příspěvky
SIHP18N50C-E3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Ještě nemáte účet? Zaregistrovat se