SIHP30N60E-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (209 Hodnocení)

SIHP30N60E-GE3

Přehled produktu

12787728

Číslo dílu

SIHP30N60E-GE3-DG

Výrobce

Vishay Siliconix
SIHP30N60E-GE3

Popis

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Inventář

Poptejte online
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
Jednotlivé FETy, MOSFETy
SIHP30N60E-GE3 Technický list
Množství
Minimálně 1

Nákup a dotaz

Žádost o nabídku (RFQ)

Můžete odeslat svou žádost o cenovou nabídku přímo na stránce detailu produktu nebo na stránce žádosti o cenovou nabídku. Náš prodejní tým na vaši žádost odpoví do 24 hodin.

Způsob platby

Nabízíme několik pohodlných platebních metod, včetně PayPalu (doporučeno pro nové zákazníky), kreditních karet a bankovních převodů (T/T) v USD, EUR, HKD a dalších.

DŮLEŽITÉ UPOZORNĚNÍ

Po odeslání RFQ obdržíte e-mail ve své schránce o tom, že jsme obdrželi vaši poptávku. Pokud jej neobdržíte, může být naše e-mailová adresa nesprávně označena jako spam. Zkontrolujte prosím svou složku se spamem a přidejte naši e-mailovou adresu [email protected] na svůj whitelist, abyste zajistili, že obdržíte naši nabídku. Vzhledem k možnosti kolísání skladových zásob a cen musí náš obchodní tým znovu potvrdit vaši poptávku nebo objednávku a včas vám zaslat jakékoli aktualizace e-mailem. Pokud máte jakékoli další otázky nebo potřebujete další pomoc, neváhejte nám dát vědět.

Skladem (Všechny ceny jsou v USD)
  • MNOŽSTVÍ Cílová cena Celková cena
  • 1 5.35 5.35
  • 50 4.33 216.61
  • 100 3.67 367.42
  • 500 3.20 1598.22
  • 1000 2.71 2707.21
  • 2000 2.63 5266.33
Lepší cena pomocí online poptávky.
Žádost o cenovou nabídku(Zítra odesláno)
Množství
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

SIHP30N60E-GE3 Technické specifikace

Kategorie FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce Vishay

Balení Tube

Řada E

Stav produktu Active

Typ FET N-Channel

Technologie MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss) 600 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C 29A (Tc)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý) 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs 125mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (max.) @ id 4V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V

VGS (Max) ±30V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 100 V

Funkce FET -

Ztrátový výkon (max.) 250W (Tc)

Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže Through Hole

Balení / pouzdro TO-220-3

Základní číslo výrobku SIHP30

Technický list a dokumenty

Technické listy

Stáhnout SIHP30N60E-GE3 Specifikace produktu (PDF)
Katalogové listy

SiHP30N60E
HTML Datový list

SIHP30N60E-GE3-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
SIHP30N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP30N60E-GE3DKR-DG
SIHP30N60E-GE3TR
SIHP30N60E-GE3TR-DG
SIHP30N60E-GE3CT-DG
SIHP30N60E-GE3DKR
SIHP30N60E-GE3CT
SIHP30N60E-GE3DKRINACTIVE

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
VÝROBCE
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
DiGi ČÍSLO DÍLU
CENY ZA JEDNOTKU
Druh náhrady
AOT42S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
16990
AOT42S60L-DG
2.63
MFR Recommended
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
1235
IPP60R099CPXKSA1-DG
4.08
MFR Recommended
IPP60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
483
IPP60R125C6XKSA1-DG
2.54
MFR Recommended
IPP60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
4944
IPP60R125CPXKSA1-DG
3.00
MFR Recommended
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1904
IPP60R099P7XKSA1-DG
1.78
MFR Recommended
DIGI Certifikace
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Související produkty
Blogy a příspěvky
Nejnovější pokroky v technologii integrovaných obvodů: Analýza pěti špičkových technologií
Jan 18 2025
Pokroky v indukční technologii: Inovativní aplikace LTCC a vysokofrekvenčních rezonančních měničů
Jan 18 2025
Ochrana obvodů: Klíčové technologie pro zajištění bezpečnosti průmyslových a automobilových elektronických systémů
Jan 18 2025