Prevence padělků a závad
Vizuální a balící kontrola
Ověření elektrického výkonu
Služební e-mail:
[email protected]
>
SIS780DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8
148696 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 30 V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Žádost o cenovou nabídku
(Zítra odesláno)
*Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
5.0 / 5.0
- (438 Hodnocení)
SIS780DN-T1-GE3
Přehled produktu
12787447
Číslo dílu
SIS780DN-T1-GE3-DGVýrobce
Vishay Siliconix
SIS780DN-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8Inventář
148696 Ks Nový Originál Skladem
N-Channel 30 V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
Nákup a dotaz
Záruka a vrácení
Jak objednat
Doprava a dodání
Zajištění kvality
365 - Záruka kvality na každý den - Každá součást plně krytá.
90denní vrácení peněz nebo výměna - Vadné díly? Bez problémů.
Omezená zásoba, objednejte nyní - Získejte spolehlivé díly bez obav.
Celosvětová doprava a bezpečné balení
Doručení po celé světě do 3-5 pracovních dní
100% ESD antistatické balení
Sledování v reálném čase pro každou objednávku
Bezpečná a flexibilní platba
Kreditní karta, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, bankovní převod (T/T) a další
Všechny platby jsou zašifrovány pro bezpečnost
SIS780DN-T1-GE3 Technické specifikace
Kategorie
Transistory, FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
722 pF @ 15 V
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Ztrátový výkon (max.)
27.7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PowerPAK® 1212-8
Balení / pouzdro
PowerPAK® 1212-8
Základní číslo výrobku
SIS780
Technický list a dokumenty
Technické listy
Stáhnout SIS780DN-T1-GE3 Specifikace produktu (PDF)
Katalogové listy
SIS780DN
HTML Datový list
SIS780DN-T1-GE3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
SIS780DN-T1-GE3-DG
SIS780DN-T1-GE3CT
SIS780DN-T1-GE3DKR
SIS780DN-T1-GE3TR
Alternativní díly
ČÍSLO DÍLU
VÝROBCE
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
DiGi ČÍSLO DÍLU
CENY ZA JEDNOTKU
Druh náhrady
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Je suis impressionné par leur disponibilité et leur efficacité dans le support après-vente.
Dec 02, 2025
Fast turnaround from order placement to delivery, highly commendable.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics offers excellent prices along with comprehensive packaging that ensures product safety.
Dec 02, 2025
Clear pricing policies reduce confusion and enhance our procurement process.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics consistently provides prompt, reliable service from shipping to support.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Často kladené otázky (FAQ)
Jaké jsou klíčové vlastnosti N-MOSFETu Vishay SIS780DN-T1-GE3?
Vishay SIS780DN-T1-GE3 je povrchově montovaný N-MOSFET s maximálním napětím drain-source 30V, trvalým odběrem proudu 18A a nízkým odporem Rds On 13,5 mΩ při 15A a 10V. Obsahuje také Schottky diodu pro zlepšení výkonu a je vybaven pouzdrem PowerPAK® 1212-8 pro efektivní tepelnou správu.
Je Vishay SIS780DN-T1-GE3 vhodný pro aplikace s vysokým proudem přepínání?
Ano, tento MOSFET je navržen pro vysoký proud přepínání, s trvalým odběrem proudu 18A při 25°C a schopností disipace až 27,7W, což z něj činí ideální volbu pro řízení výkonu a přepínací aplikace vyžadující efektivní zvládání vysokých proudů.
Jaký je rozsah provozních teplot tohoto MOSFETu a je vhodný do průmyslového prostředí?
Vishay SIS780DN-T1-GE3 pracuje v teplotním rozmezí -55°C až 150°C, což jej činí vhodným pro různé průmyslové a automobilové aplikace, kde je potřeba široká teplotní odolnost.
Jaká je kompatibilita tohoto MOSFETu s různými napětími brány a jaké řídicí napětí se doporučuje?
Tento MOSFET podporuje maximální napětí brány ±20V, s doporučeným řídicím napětím od 4,5V do 10V pro optimální výkon Rds On, což zajišťuje kompatibilitu se standardními obvody řízení brány.
Jaký typ balení má tento MOSFET a jak ovlivňuje montáž a zapojení?
Vishay SIS780DN-T1-GE3 je dodáván v balení Tape & Reel (TR) v pouzdru PowerPAK® 1212-8, což usnadňuje automatizovanou povrchovou montáž a zajišťuje spolehlivou a efektivní instalaci na tištěné spojové desky.
Zajištění kvality (QC)
DiGi zajišťuje kvalitu a autenticitu každé elektronické součástky prostřednictvím profesionálních inspekcí a vzorkování šarží, čímž garantuje důvěryhodné zdroje, stabilní výkon a splnění technických specifikací. Pomáhá zákazníkům snižovat rizika v dodavatelském řetězci a důvěryhodně používat komponenty ve výrobě.
SIS780DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS780DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
